近日，济南欧派特光电科技有限公司在EUV半导体照明系统反射镜领域实现关键技术突破，自主研发的高性能平面和球面反射镜系列产品通过严苛测试验证，性能指标达到国际一流水平。这一成果不仅夯实了我国在半导体制造核心光学部件领域的自主化基础，更为推动国内EUV光刻技术产业化进程注入了强劲动力。
EUV光刻技术是芯片制程迈向3nm 及以下节点的"咽喉要道"，而照明系统中的反射镜是决定其精度与效率的核心部件。由于EUV光波长仅13.5纳米，极易被物质吸收，这就要求其系统中使用的光学镜片，不仅有极高的低频误差要求，还有着极高的中高频误差要求。
欧派特在近期研制的某EUV照明系统反射镜系统组件中，通过不懈努力和工艺攻关，在保证极高低频误差的情况下(RMS<5nm)，同时将中高频误差做到极致(RMS<0.2nm)。
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| 干涉仪测量，低频误差RMS=4.4nm |
白光测量中频误差均在0.2nm以下（白光2.75x，10x）； |
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中频2.75x视野，Rq=0.146n | 中频2.75x视野，Rq=0.142nm |
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中频10x视野，Rq=0.175n | 中频10x视野，Rq=0.176nm |
| 在高频原子力测量中，在10um视场下，高频粗糙度均小于0.2nm |
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| 原子力10um视场Rq=0.157nm | 原子力10um视场Rq=0.185nm |
这一关键性突破，将大幅提升EUV光反射效率与光束均匀性，降低对光源功率依赖，为先进制程光刻提供更高精度的光学支撑，加速国产高端光刻技术突破，夯实半导体制造自主化根基。
作为新型高新技术企业，欧派特始终聚焦半导体光学领域的"卡脖子"问题。此次EUV照明系统反射镜的技术突破，是欧派特在超精密光学加工领域不断投入的成果，未来我司将持续投入研发力量，以此次成果为起点，与产业链伙伴协同发力，共同推动我国EUV光刻技术从"跟跑"向"并跑"乃至"领跑"跨越，为全球半导体产业发展贡献中国智慧与力量。